台积电否认应英伟达请求生产3D DRAM
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台积电否认应英伟达请求生产3D DRAM
2 篇报道1 个报道来源12 小时前更新
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AI 综述
台积电否认了此前关于英伟达推动其制定3D DRAM生产计划的报道，称将坚持纯逻辑代工定位。 早先X用户Rohan Paul称，英伟达已请求台积电制造先进3D DRAM芯片，台积电已开始拟定生产计划，若台积电入局，将增加先进内存供应并削弱三星、SK海力士、美光的涨价能力。台积电与英伟达此前均未公开确认。 据后续报道，AI需求已耗尽DRAM供应，内存成为决定加速器能否出货的关键部件；但3D DRAM即使美光也要再经至少4个平面节点才采用，台积电入场至少5年内无法缓解短缺。
AI 根据报道生成 · 12 小时前更新
最新进展11月8日 06:18
台积电否认应英伟达要求布局3D DRAM事件进展
2 个进展
- 11月8日 06:18 · 1 篇报道台积电否认转向3D DRAM制造Rohan Paul：台积电否认应英伟达要求布局3D DRAM
- 11月7日 00:51 · 1 篇报道Nvidia请求台积电成为第四家先进内存供应商Rohan Paul：Nvidia 推动 TSMC 规划生产 3D DRAM，谋求第四家先进存储供应商
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月8日
- Rohan Paul台积电否认应英伟达要求布局3D DRAM
台积电回应称将坚持纯逻辑代工定位，否认了有关英伟达推动其制定3D DRAM计划的报道。报道称AI需求已耗尽DRAM供应，使内存成为决定加速器能否出货的关键部件，但3D DRAM即使美光也要再经至少4个平面节点才采用，台积电入场至少5年内无法缓解短缺。
11月7日
- Rohan PaulNvidia 推动 TSMC 规划生产 3D DRAM，谋求第四家先进存储供应商
Nvidia 据报已请求 TSMC 制造先进 3D DRAM 芯片，TSMC 已开始拟定生产计划。目前 Nvidia 的先进存储只能从 Samsung、SK Hynix 和 Micron 三家采购，TSMC 入局将增加供应并削弱三家涨价能力；此举建立在 Nvidia 此前要求三家存储厂商为其定制 HBM 基底晶圆使用 TSMC 3nm 工艺的基础上。
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