三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
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AI 综述
三星电子正在开发两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存 zNAND-T 与 zNAND-I，加上此前已公布的 zNAND-O，其 zNAND 系列共有三种型号。据韩媒 ZDNET Korea 报道，zNAND-T 的“T”代表吞吐量，概念类似闪迪和 SK 海力士的 HBF，通过 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的“I”指 IOPS，面向少量数据频繁读写的场景，例如 KV Cache 卸载。 目前三星尚未公布这两款产品的具体规格、量产时间或应用落地情况。
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最新进展10月12日 13:54
三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家·人工智能三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 "T" 代表吞吐量，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，采用 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的 "I" 指 IOPS，强调少量数据频繁读写场景，如 KV Cache 卸载。
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