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三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
AI 导读
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 "T" 代表吞吐量，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，采用 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的 "I" 指 IOPS，强调少量数据频繁读写场景，如 KV Cache 卸载。
正文
IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。
报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现，采用 TSV 堆叠 NAND Die。
而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写，强调少量数据频繁读写操作中的表现，KV Cache 卸载就属于此类场景。
三种 zNAND 各有专长，针对不同的应用负载，代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。
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