美光公布G11存储芯片计划

美光公布下一代存储芯片 G11 计划：在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD。 美光称 G11 预计 2027 年下半年量产，搭载该芯片的硬盘会更晚上市；美光未透露每 GB 成本降幅。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。