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三星高管预计明年HBM占DRAM产能近30%
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AI 综述
2026年9月29日，三星电子执行副总裁金泰宇预计，HBM（高带宽内存）明年将占各家DRAM厂商全部晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。报道指出，HBM与普通DRAM争夺晶圆产能，扩大HBM产出可能挤压标准DRAM的供给。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。
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最新进展9月29日 10:00
三星高管金泰宇预计HBM明年占DRAM晶圆产能近30%，高于目前约20%。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
9月29日
- IT之家三星高管预计明年 HBM 占 DRAM 行业总产能近 30%，高于目前约 20%
三星电子执行副总裁金泰宇预计，HBM 明年将占各家 DRAM 厂商全部晶圆产能的近 30%，高于目前约 20%。HBM 与普通 DRAM 争夺晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压标准 DRAM 供给。该市场目前主要由 SK 海力士、三星电子和美光科技主导。
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